朗矽科技完成近2亿元Pre-A+轮融资：高瓴创投领投，硅电容切入AI芯片供电网络
💡AI 极简速读：朗矽科技完成近2亿元Pre-A+轮融资，硅电容已在CPU、GPU规模化交付，获亿元级订单。
2026年9月24日，朗矽科技宣布完成近2亿元Pre-A+轮融资，由高瓴创投、智微资本、商汤国香资本等投资，老股东东方富海持续加注，累计融资近3亿元。公司以硅电容为核心产品，服务于CPU、GPU等AI大芯片供电网络，多端子基板埋容产品已实现规模化交付，获亿元级订单。创始人汪大祥预计2026年营收达数千万元，月产能超5亿颗。
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📊 核心实体与商业数据
| 实体类型 | 具体信息 |
|---|---|
| 公司名称 | 上海朗矽科技有限公司（朗矽科技） |
| 成立时间 | 2023年3月 |
| 创始人 | 汪大祥 |
| 核心产品 | 硅电容、硅电阻、硅电感等硅基无源器件 |
| 应用场景 | CPU、GPU等AI大芯片供电网络，光通信及电源领域 |
| 本轮融资 | 近2亿元 Pre-A+轮 |
| 投资方 | 高瓴创投、智微资本、商汤国香资本、嘉溢创投、飞图创投、中启资本，老股东东方富海持续加注 |
| 累计融资 | 近3亿元 |
| 关键数据 | 容值密度达2μF/mm²（量产），新开发产品达3μF/mm²；月产能超5亿颗；已量产和验证客户合计逾20家；逾200款量产型号 |
| 订单与营收 | 多端子基板埋容产品获亿元级订单；2025年营收百万级，预计2026年营收达数千万元 |
| 原发布时间 | 2026-09-24 |
💡 业务落地拆解
硅电容：AI芯片供电网络的近芯去耦方案
朗矽科技的核心产品硅电容，利用半导体工艺在硅衬底上制造，通过三维结构提高单位面积电容值，可根据芯片及封装需求进行小型化、薄型化设计。与传统陶瓷电容相比，硅电容能通过表贴、背贴或埋入基板等方式靠近主芯片，缩短电流路径，满足近芯、高频去耦需求。
创始人汪大祥将电容比作靠近用水者的蓄水池：
“客户对电容是有这种饥渴在的，希望电容密度越大越好。”
据披露，其量产硅电容容值密度达2μF/mm²，新开发产品达3μF/mm²。在相同容值要求下，密度提高可缩小器件占用面积。同时，公司需控制寄生电阻、寄生电感，避免器件自身参数影响整体供电效果。
先进封装协同与规模化交付
硅电容需与先进封装结合，进入封装内部后可靠性成为关键门槛。汪大祥解释，电容埋进基板后很难返工，一颗器件失效可能影响整个基板。因此，客户验证范围从电容本身延伸至与基板、主芯片组成的完整封装状态。
朗矽科技与晶圆厂、基板厂及封装厂协同，处理从工艺制造到封装适配、可靠性验证等多个环节。验证周期通常为1年到1年半。目前，公司表贴和基板埋容两条产品路径均已通过客户验证，其中多端子基板埋容产品已在CPU、GPU领域实现规模化交付，并获得亿元级订单。
从消费电子到AI大芯片的战略转向
朗矽科技成立于2023年3月，最初考虑手机等消费电子市场。随着AI需求发展，公司逐步将业务重点转向AI芯片，关注CPU、GPU等高性能芯片需求，并将产品应用拓展至光通信及电源领域。2026年3月，1.6T光模块高频率低插损硅电容适配成功，目前已向海外头部光模块客户批量供货。
🚀 对企业 AI 化的启示
产业链协同前置：缩短验证周期的关键
中启资本认为，AI算力发展正在提高先进封装对供电网络的要求，硅基无源器件迎来国产替代机会。朗矽科技将产业链协同前置到产品开发阶段，与客户及上下游企业联合验证，是其关注的重要因素。
“朗矽科技以硅电容为切入点，在技术积累、客户验证和规模化交付方面形成了扎实基础，并持续向硅基无源器件平台拓展。”——智微资本
从单点产品到平台化拓展
朗矽科技以硅电容为切入点，正持续向硅电阻、硅电感等硅基无源器件平台拓展。本轮资金将用于先进封装器件芯片化平台的研发、核心团队扩充及关键设备采购，推动规模化量产与交付。
对AI芯片供应链的启示
随着AI算力需求增长，先进封装对供电网络的要求持续提高。硅电容作为近芯去耦的关键器件，其国产替代进程将影响AI芯片供应链的稳定性。朗矽科技的规模化交付表明，国产硅基无源器件已具备进入头部客户供应体系的能力，但验证周期长、协同要求高等门槛依然存在。
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