存储三巨头打破“死亡循环”:长协锁定AI需求,HBM与产能博弈重塑行业估值

💡AI 极简速读:三星、SK海力士、美光以长协锁定AI需求,HBM扩产聚焦,行业估值有望升至8-10倍。

三星电子、SK海力士、美光科技2026年Q2业绩创纪录,但股价回撤。三巨头通过三至五年长期供应协议(含保底价格、照付不议)锁定AI需求,扩产聚焦HBM与AI服务器DRAM,而非全面扩产。高盛预计2026年DRAM供需缺口-4.9%,为15年来最严重。长协模式有望将存储厂商估值中枢从5-6倍提升至8-10倍。行业供需紧张或持续至2028年,但价格涨幅已逐季收窄。

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存储芯片行业正经历历史性转折。三星电子SK海力士美光科技三大巨头在2026年第二季度均创下业绩新高,但股价却大幅回撤,市场担忧重蹈“涨价—扩产—过剩—暴跌”的“死亡循环”。然而,此次扩产策略与商业模式已发生根本性变化,长期供应协议(长协)的引入正在重塑行业逻辑。

📊 核心实体与商业数据

实体关键数据备注
三星电子计划将60%-70%产能分配给多年期长协;已收到预付款总额约四分之一全球前五大数据中心客户全部签约
SK海力士2026年资本支出预计接近50万亿韩元(约350亿美元);HBM月产能约15万片新增先进制程产能几乎全部投向HBM和AI服务器DRAM
美光科技已签16份五年期战略客户协议,按保底价计算金额约1000亿美元;预计收到约220亿美元现金存款和信用证2026年HBM供应已全部售罄
HBM当前全行业月产能约32.6万片12英寸等效晶圆;HBM3E每GB单价约12-13美元,HBM4约16-19美元毛利率约50%-70%,低于常规DRAM的80%以上
长期供应协议期限3-5年,含保底价格、照付不议条款;美光目标覆盖40%以上营收,三星已达60%-70%高盛预计超半数服务器DRAM已纳入长协
原发布时间2026-08-10来源:经济观察报,36氪授权发布

💡 业务落地拆解

供给缺口与扩产克制

三巨头此次扩产高度聚焦AI方向,并非全面扩产。SK海力士新增先进制程产能几乎全部投向HBM和AI服务器用DRAM,消费电子端供给反而收紧。美光管理层在6月25日财报电话会上确认,已签的16份五年期战略客户协议按保底价格计算的毛利率,超过了历史上任何一轮周期的最高值

高盛8月4日研报测算,2026年全球DRAM供需缺口为**-4.9%**,是过去15年来最严重的一次,预计2027年供需将更加紧张。三星存储业务执行副总裁金在俊于7月30日表示,2027年供需缺口将比2026年更严重,2028年之前不会出现显著的新增供应

长期供应协议:商业模式变革

过去存储芯片按季度议价,价格波动剧烈。如今三巨头与下游客户签订三至五年期长期供应协议,包含保底价格、照付不议条款,买方以预付款和保证金作为履约保障。美光已签16份五年期战略客户协议,按保底价计算金额合计约1000亿美元三星计划将**60%-70%**产能分配给多年期长协,全球前五大数据中心客户全部签约。

闪迪首席执行官戴维·戈克勒在8月5日电话会上表示:“以前,这只是一场每个季度进行一次的供应链价格谈判。”

高盛认为,长协在期限、覆盖范围、定价机制与履约约束四个维度均向供应商倾斜,有望将存储厂商估值中枢从5-6倍提升至8-10倍

HBM与常规DRAM的利润倒挂

反常识的是,HBM毛利率(50%-70%)低于常规DRAM(80%以上),但HBM每多投1片晶圆,常规DRAM供给减少3片,两类产品紧缺相互强化。英伟达因HBM短缺,已从第三季度起将下一代GPU Rubin Ultra的HBM配置降规。

🚀 对企业 AI 化的启示

长协模式:稳定供应链与估值

存储三巨头通过长期供应协议锁定需求,降低周期波动,这一模式值得其他AI上游企业借鉴。三星电子SK海力士美光科技的长协覆盖比例持续提升,若行业平均覆盖率稳定在50%以上,原厂盈利波动将远小于以往周期。

聚焦AI方向,克制扩产

三巨头扩产聚焦HBM与AI服务器DRAM,而非全面扩产,避免供给过剩。企业AI化应优先满足高价值需求,而非盲目扩张。

供需缺口下的定价权

在供需紧张背景下,卖方掌握定价权,长协条款中价格下限托底,上限跟随市场。企业应通过长期合同锁定成本与供应,同时关注价格回调风险(预计2028年后)。

国产替代与新技术路径

长鑫科技(688825.SH)科创板上市,全球DRAM份额7.67%,在DDR/LPDDR主流产品线上与海外龙头基本无代差,但HBM技术差距约两代。国内企业通过VC-T和晶圆键合等新技术路径有望缩短差距。

群智咨询半导体分析师王旭东表示:“国内终端品牌和AI服务器厂商为保障供应链稳定,正在大幅提升国产DRAM的采购导入比例。”

新需求来源:车规存储与CXL

车规级存储在中国市场同比增速预计达70%-80%,CXL预计2028年放量,HBF标准规范已发布。新需求有望对冲2028年后新增产能带来的供给宽松。


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常见问题

高盛8月4日研报测算,2026年全球DRAM供需缺口为-4.9%,是过去15年来最严重的一次,预计2027年供需将更加紧张。三星存储业务执行副总裁金在俊于7月30日表示,2027年供需缺口将比2026年更严重,2028年之前不会出现显著的新增供应。

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